1. 고정양극 X선관
X선관은 고정양극 X선관과 회전양극 X선관으로 이루어진다 진공도는 10^-6mmHg의 고진공상태입니다. Glass Bulb는 규산, 붕산의 주성분인 결정의 glass입니다. 구비조건은 절연내력이 커야 합니다. 고진공도가 유지되어야 하고 가공이 용이하여야 합니다. X선 흡수가 적어야 합니다. 화학적 내성이 커야 합니다. 기계적 강도가 커야 합니다. 열팽창 계수가 작아야 합니다. Cathode부의 Filament는 가열에 의한 열전자를 방출합니다. 직경은 1~3mm W wire를 사용합니다. 이것은 초점형성 결정인자입니다. Focusing Cap은 열전자를 target 일정 부위에 집속 시킵니다. 그리고 전자의 초점을 형성하여 전자의 확산을 방지합니다. Anode부의 target은 초점형성 부분입니다. 재질은 Pure W가 있습니다. W+Mo의 조합은 회전특성을 이용하고 허용부하를 크게 만들어 줍니다. W+Re의 조합은 spot현상을 방지합니다. Anode의 구비조건은 용융점, 증기압, 열전기전도가 커야 합니다. 괴산성이 적어야 합니다. 가공, 입수가 용이하여야 합니다.
2. 회전양극 X선관
회전양극 X선관의 Anode 부는 Cu 양극 끝부분에 W disk가 있습니다. Rotor는 회전자게에 의해 target이 회전합니다. 회전속도(rpm)는 주파수에 고정자 전류주파수를 곱한 값에 고정자 코일 자극수를 나눈 값과 같습니다. Bearing은 금속윤활제(Ag)를 사용하는데 고장이 잘납니다. 전자충돌 궤도면적을 구하는 공식은 원주율과 중신충돌면 중앙선거리에 충돌면폭에 2를 곱한 값입니다. 회전양극 X선관의 특징은 열용량이 큽니다. 부하량이 큽니다. 실초점이 커서 부하량이 큽니다. 단점으로는 구조가 복잡합니다. 수명이 짧습니다.
3. 순간허용부하
순간허용부하의 단시간 최대입력 값은 P [kW]=f*U*I*10^-3입니다. f의 값이 1일 경우는 관전압 맥동률 10% 이하이고 삼상 12 피크입니다. f의 값이 0.95일 경우에는 관전압 맥동률이 10~25%이고 삼상 6 피크입니다. f의 값이 0.74일 경우에 관전압 맥동률은 25% 이상이고 단상 2 피크입니다. 순간허용부하를 증대시키기 위해서는 초점면적을 크게 합니다. 타깃 각도를 작게 합니다. 초점크기 및 직경을 크게 합니다. 리플백분율을 작게 합니다. 양극 회전수를 증가시킵니다. 동일 mAs시 mA를 낮추고 s를 증가시킵니다.
4. 연속허용 부하
연속허용부하를 공식은 P [HU]=f*U*I*t입니다. f값이 1일 경우에는 단상전파 정류회로입니다. f의 값이 1.35일 경우에는 삼성전파 정류회로입니다. f값이 1.41일 경우에는 정전압회로입니다. 혼합 허용부하는 Spot촬영은 투시도가능하고 촬영도가능합니다. Angiography에서 사용합니다 Cine Radiography에서 사용합니다. 집단간접촬영에서 사용합니다.
5. X선관 Tube Housing
X선관을 보호하고 지지하는 역할을 합니다. 1m 거리에서 적산선량 100mR/hr이하의 누설선량을 차폐합니다. 접지와 절연 그리고 냉각의 역할을 합니다. 초점 외 X선을 흡수하는 역할을 합니다. 절윤유의 필요조건은 절연내력, 파괴전압이 높아야 합니다. 그리고 인화점이 130도 이상으로 높아야 합니다. 점도가 낮아야 합니다. 냉각효율이 커야 합니다. 불순물이 없고 화학적으로 안정해야 합니다.
6. 여과(filtration)
총여과는 피사체까지의 여과의 총합을 말합니다. 고유여과와 부가여과를 합한 값입니다. 고유여과는 관체, 절연유, 방사구 등 자체의 X선을 흡수합니다. 0.5~1 mmAl당량입니다. 부가여과는 X선속 내에 인위적인 흡수체로 연선을 흡수합니다. 보통 1~2 mmAl당량입니다. X선 총여과의 최소치는 최고정격전압이 60 kVp미만일 때는 총여과의 최소치는 1.5 mmAl이고 60~100 kVp일 때는 2.0 mmAl이고 100 kVp이상일 때는 2.5 mmAl입니다.
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